#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
KVR16LN11/4WP
Тип памяти
—
DDR3L
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (SPD)
—
1.35В
Напряжение (тест)
—
1.35В
Задержка (SPD)
—
11-11-11
Задержка (тест)
—
11-11-11
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
4096 МБ
Количество рангов (Ranks)
—
single rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
4 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
4 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.028 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.165x0.045x0.01 м
Объем упаковки (ед)
—
0.00007425 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Скорость (SPD)
—
1600 МГц
Модель
—
KVR16LN11/4WP
Тип
—
Оперативная память
5170
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
KVR16LN11/8WP
Тип памяти
—
DDR3L
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (SPD)
—
1.35В
Напряжение (тест)
—
1.35В
Задержка (SPD)
—
11-11-11
Задержка (тест)
—
11-11-11
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
8192 МБ
Количество рангов (Ranks)
—
dual rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
8 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.04 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.165x0.045x0.01 м
Объем упаковки (ед)
—
0.00007425 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Скорость (SPD)
—
1600 МГц
Модель
—
KVR16LN11/8WP
Тип
—
Оперативная память
11381
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
R538G1601U2SL-U
Тип памяти
—
DDR3L
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (тест)
—
1.35В
Задержка (тест)
—
11-11-11-28
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
8192 МБ
Количество чипов
—
16
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
8 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.032 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.16x0.05x0.01 м
Объем упаковки (ед)
—
0.00008 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Модель
—
R538G1601U2SL-U
Тип
—
Оперативная память
2267
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
DGMAD31333004D
Тип памяти
—
DDR3
Тактовая частота
—
1333 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-10600
Скорость (тест)
—
1333МГц
Напряжение (тест)
—
1.35В
Задержка (тест)
—
9-9-9-24
Латентность (CAS)
—
CL9
Объем
—
4096 МБ
Количество рангов (Ranks)
—
dual rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
4 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
4 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.028 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.141x0.045x0.015 м
Объем упаковки (ед)
—
0.000095175 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
10600 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
9
Row Precharge Delay (tRP)
—
9
Модель
—
DGMAD31333004D
Тип
—
Оперативная память
1196
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
NTBSD3P16SP-08
Тип памяти
—
DDR3
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (тест)
—
1.5В
Задержка (тест)
—
11-11-11-28
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
8192 МБ
Количество рангов (Ranks)
—
dual rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
8 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.03 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.173x0.011x0.057 м
Объем упаковки (ед)
—
0.000108471 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Модель
—
NTBSD3P16SP-08
Тип
—
Оперативная память
3569
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
NTBSD3P16SP-04
Тип памяти
—
DDR3
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (тест)
—
1.5В
Задержка (тест)
—
11-11-11-28
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
4096 МБ
Количество чипов
—
8
Количество рангов (Ranks)
—
dual rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
4 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
4 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.03 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.055x0.01x0.17 м
Объем упаковки (ед)
—
0.0000935 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Модель
—
NTBSD3P16SP-04
Тип
—
Оперативная память
1544
DDR3
PartNumber/Артикул Производителя
—
DGMAD31600008D
Тип памяти
—
DDR3
Тактовая частота
—
1600 МГц
Буферизация
—
unbuffered
Количество контактов
—
240-pin
Показатель скорости
—
PC3-12800
Скорость (тест)
—
1600МГц
Напряжение (тест)
—
1.35В
Задержка (тест)
—
11-11-11-28
Латентность (CAS)
—
CL11
Объем
—
8192 МБ
Количество рангов (Ranks)
—
dual rank
Обозначение памяти
—
UDIMM
Объем одного модуля
—
8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта
—
8 ГБ
Форм-фактор
—
DIMM
Тип поставки
—
Ret
Вес упаковки (ед)
—
0.024 кг
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
—
0.16x0.047x0.008 м
Объем упаковки (ед)
—
0.00006016 м3
Количество в упаковке
—
1
Пропускная способность
—
12800 МБ/с
RAS to CAS Delay (tRCD)
—
11
Row Precharge Delay (tRP)
—
11
Модель
—
DGMAD31600008D
Тип
—
Оперативная память
2323
